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快充技术的发展不断突破着功率极限。随着功率增大,芯片的温升效应随之显著,热损耗加剧,影响系统整体的能量转化效率,过热的芯片还可能带来安全性和常规使用的寿命等方面的隐患。作为目前主流快充系统的核心器件,反激变换器的效率与整机温升和散热成本密不可分,如何逐步提升它的效率始终是电源设计工程师最关心的问题之一。
开关损耗是反激变换器的主要损耗来源之一,由开通和关断过程中的电流电压交叠引起。为提高系统效率,降低温度,实现软开关成为减少系统开关损耗的重要手段。在开关电源中,有多种拓扑均可实现软开关,如有源钳位 (ACF)、非对称半桥 (AHB)、谐振 (LLC) 等电路。
如下图所示,从电路结构上看,ACF 要增加一颗高压开关管和高侧驱动,AHB 除高压开关管和驱动外还需增加谐振电容,均会大幅度的提高系统成本。应用在中小功率场景的 LLC 多采用半桥结构,初级有两颗开关管且需增加谐振电容,次级为全波整流方式,需要两颗同步整流的 MOS,外围功率器件数量多,控制部分及外围 BOM 成本高,且调压范围受限,不适合宽输入或宽输出应用。
在深入了解常见软开关电路痛点的基础上,南芯科技突破性的 POWERQUARK 系列新产品通过次级同步整流 (SR) 控制实现初级侧软开关。对比其它传统反激电路,该方案无需增加任何器件,就可以实现初级开关管的零电压开通。
POWERQUARK 系列新产品通过同步整流管为反激变压器提供负向励磁电流。此负向励磁电流在同步整流关闭后抽取初级功率管寄生电容能量,使得初级功率管上电压接近于零,以此来实现初级开关管零电压开通。通过这一技术,POWERQUARK 系统可极大降低开关损耗,提升整个充电过程的效率及使用者真实的体验。我们的参考设计在 230V/65W 条件下可实现 95% 以上的效率。
更低的系统电磁干扰是 POWERQUARK 次级控制软开关技术的另一大优势。反激变换器工作过程中,电压变化率 (dv/dt) 和电流变化率 (di/dt) 高,产生严重的电磁干扰,工程师需花费较多时间和较长的验证周期来优化系统 EMI 性能,开发成本也随之增加。POWERQUARK 支持初级高压功率管软开关,极大减小了开关节点的 dv/dt,大大降低电磁干扰,提高研发效率。同时软开关也大幅度降低了次级同步整流功率管的电压尖峰,进一步提升系统的可靠性。
此外,当系统采用次级控制方式时,同步整流控制部分在谐振段也不可能会出现误发波的风险。在这种系统模块设计下,VCC二极管可以再一次进行选择慢管,进一步利好系统整体 EMI。
南芯科技从未停止对效率的极致追求。通过软开关技术上的创新,POWERQUARK 逐步提升了快充系统的效率,优化了 EMI 性能,帮助客户高效开发新产品,为最终用户带去尺寸更小、系统温升更平稳等切实的体验优化,引领快充新世代。
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快充技术的发展不断突破着功率极限。随着功率增大,芯片的温升效应随之显著,热损耗加剧,影响系统整体
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